混合硅激光器是一种新型激光器,由英特尔公司和加州大学圣巴巴拉分校(UCSB)于2006年开发。该激光器由大量生产的计算机芯片中使用的相同类型的III-V族半导体材料(如镓(III)砷化物、磷化铟(III))以及硅制成与我们目前在电脑和CD...
混合硅激光器是一种新型激光器,由英特尔公司和加州大学圣巴巴拉分校(UCSB)于2006年开发。该激光器由大量生产的计算机芯片中使用的相同类型的III-V族半导体材料(如镓(III)砷化物、磷化铟(III))以及硅制成与我们目前在电脑和CD播放机中使用的激光二极管不同,它是基于磷化铟(Indium Phosphide)的,它必须为每个单元单独组装和校准,而且不能像计算机芯片那样批量生产。
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必须使用带烧杯的独立III-V半导体晶片来制造当前的激光二极管。混合硅激光器主要由硅制成,并在硅片上制造,多亏了光刻技术和计算机革命,我们在大规模制造方面拥有丰富的经验。混合硅激光器将大大降低制造激光器的成本。虽然混合硅激光器也将使用磷化铟来产生光,但它不使用化学物质来选路、探测、调制和放大光,与普通的激光二极管一样,它使用的是硅。混合硅激光器是光学系统与传统计算机芯片集成的一大步,它可以使处理速度和数据传输速率比我们今天最好的快几百倍。这些传输速率将是太比特级,而不是我们今天看到的千兆或兆位的水平。混合硅激光器是一个叫做光子计算的研究项目的一部分,该项目希望看到计算机芯片使用与电脉冲相切的光来处理数据。光每单位数据需要更少的能量。混合硅激光器可以在工业规模上大规模生产,有几百个或更多的死亡制造一台主要基于光子学的计算机将需要大量的片上激光器。实现真正光子学的另一个必要步骤将是在晶体中真正地停止光的技术,类似于当前计算机逻辑中的电子存储技术。初步研究表明,在这个方向上取得了很好的结果。