双极结雪崩晶体管,或简称雪崩晶体管,设计用于在无线电传输系统中被称为雪崩击穿区域的区域工作。这个特定区域具有雪崩击穿的特性,这意味着碰撞电离发生在成对的电子空穴处,并且系统中会产生一些电流。二极管耗尽区的电场...
双极结雪崩晶体管,或简称雪崩晶体管,设计用于在无线电传输系统中被称为雪崩击穿区域的区域工作。这个特定区域具有雪崩击穿的特性,这意味着碰撞电离发生在成对的电子空穴处,并且系统中会产生一些电流。二极管耗尽区的电场可能很高,进入该区的电子以极快的速度加速。加速后的电子可以与其他原子相撞,把电子从与其他原子的键中敲出,产生更多对电子空穴,结果,电流更大。这种效应类似于雪崩的自然现象,也是"雪崩晶体管"名称背后的原因。
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科学家用烧杯这种类型的晶体管可以在不同的模式下触发和工作,包括雪崩击穿和电流模式故障。它可以使用不同的产生模式,如快脉冲、光和电等。雪崩晶体管也可以在0.5至3.0千兆赫兹(GHz)的不同射频下工作,三端功率放大器是线性的。功率放大器通过雪崩倍增获得功率,放大器的采集器使用渡越时间。虽然范围要小得多,放大器能够发射高达10千兆赫的频率。雪崩晶体管模型通常出现在一种扩展频谱的无线电传输系统中。频率信号的离散分量低于噪声级,标准无线电接收设备无法识别。用于通信的信号有通常很窄,覆盖范围不广雪崩晶体管扩展了这个频谱,使通信信号的可用性提高了10到100倍,然而,这些信号的能量明显低于噪声级,尤其是那些可用的标准通信信号。雪崩晶体管信号发射的这种低能量是有益的,因为它不会干扰其他信号或电子元件的操作。除了这种方法,编码序列的调制用于使通信信号的链路不干扰其他信号。调制也可以被调整、操纵和打开或关闭。打开该晶体管的雪崩模式允许它操作半导体材料制成的开关,由延迟线或其它短时间电源供电。