EEPROM和Flash之间有什么连接(Connection Between EEPROM and Flash)？

电子可擦可编程只读存储器（EEPROM）和闪存有许多共同点。EEPROM和闪存都是建立在芯片格式上的，可以存储可擦除和重写的数据，并使用相同的浮栅晶体管技术。虽然说闪存是EEPROM的一种是正确的，但术语EEPROM闪存通常描述不同的...

电子可擦可编程只读存储器（EEPROM）和闪存有许多共同点。EEPROM和闪存都是建立在芯片格式上的，可以存储可擦除和重写的数据，并使用相同的浮栅晶体管技术。虽然说闪存是EEPROM的一种是正确的，但术语EEPROM闪存通常描述不同的设备。

闪存通常用于USB设备。
EEPROM，一般来说，指任何类型的数据存储设备，可以通过某种类型的电子设备将数字数据写入其中并进行擦除。这与可擦除可编程只读存储器（EPROM）不同，后者必须通过非电子方法进行物理移除和擦除，例如紫外光。由于闪存的写入和擦除操作是由计算机执行的，因此根据定义，闪存是EEPROM。
尽管闪存是EEPROM的一种类型，但这两个术语通常描述非常不同的设备类型。例如，EEPROM通常是集成在一个更大的集成电路（IC）中。它的功能是存储IC其余部分所需的各种数据，以达到其目的。EEPROM通过将数据存储在小的块中来实现这一目的，通常只有一个字节的长度。
另一方面，闪存通常在独立存储器中使用存储设备，如USB驱动器或相机存储卡，并存储计算机用户文件。为此，数据被组织成大块，每一个包含许多字节的数据。这些大的数据块可以比单字节的数据块更快地被访问和擦除。处理数据的速度要快得多，这就是闪存的名字
EEPROM和flash存储器都使用浮栅晶体管来存储数据。因此，这两种形式的存储器都是非易失性的。非易失性是指即使在没有可用电源的情况下也可以继续存储数据的存储器。这与其他类型的存储器（如计算机随机存取存储器）不同，后者可以转储所有存储的数据一旦断电。
基于浮栅晶体管的技术的另一个共同特点是，由于一种称为内存损耗的现象，晶体管的生命周期有限。每次从这些设备中写入或擦除数据时，都会出现更多的磨损。最终，在10000到100000个周期之后，晶体管将开始工作当EEPROM包含很少改变的操作数据时，存储在闪存上的数据经常改变。因此，当EEPROM和闪存都经历内存磨损时，它对闪存的影响通常要大得多。