什么是MOS晶体管(MOS Transistor)？

金属氧化物半导体（MOS）晶体管是大多数现代数字存储器的组成部分，处理器和逻辑芯片。它也是许多模拟和混合信号集成电路中的常见元件。这些晶体管存在于从手机、计算机到数字控制冰箱和电子医疗设备等各种电子设备中。MOS...

金属氧化物半导体（MOS）晶体管是大多数现代数字存储器的组成部分，处理器和逻辑芯片。它也是许多模拟和混合信号集成电路中的常见元件。这些晶体管存在于从手机、计算机到数字控制冰箱和电子医疗设备等各种电子设备中。MOS晶体管用途广泛，可以作为开关使用，一种放大器或电阻器。又称为一种特殊类型的场效应晶体管（FET），称为绝缘栅（IGFET）或MOS（MOSFET）

大多数现代电子设备都使用某种类型的晶体管。MOS晶体管是在半导体晶体衬底上制造的，通常由硅制成。基板顶部有一层薄的绝缘层，通常由二氧化硅制成。在这层上面是栅极，通常由金属或多晶硅制成。栅极一侧的晶体区称为源区，另一侧称为漏区。源区和漏区通常'掺杂'有相同类型的硅；栅极下面的沟道'掺杂'了相反的类型。这形成了一种类似于标准NPN或PNP晶体管的结构。MOS晶体管通常被制造成PMOS或PNP晶体管NMOS晶体管PMOS晶体管有一个由p型硅制成的源极和漏极；栅极下面的沟道是n型。当栅极上施加负电压时，晶体管打开。这允许电流在源极和漏极之间流动。当栅极上施加正电压时，它关闭NMOS晶体管则相反：一个p型沟道，具有n型源极和漏极，当在NMOS晶体管的栅极处施加负电压时，它会关闭；正电压使其开启。NMOS比PMOS的一个优点是开关速度-NMOS通常更快。许多集成电路使用互补MOS（CMOS）逻辑门。CMOS门由两种类型的晶体管组成一起：一个NMOS和一个PMOS。这些门极通常在功耗很关键的地方使用。它们通常在晶体管从一种状态切换到另一种状态之前不使用电源。耗尽模式MOSFET是一种特殊类型的MOS一种可用作电阻的晶体管。它的栅极区由二氧化硅绝缘体和衬底之间的一层额外的层构成。该层与漏极区和源极区用同一类型的硅'掺杂'。当栅极处没有电荷时，该层传导电流。电阻由晶体管产生时的晶体管。栅极电荷的存在使这种类型的MOS晶体管关闭。像大多数其它晶体管一样，MOS晶体管可以放大信号电流在源极和漏极之间的流动量随栅极信号的变化而变化。一些MOS晶体管被构造并单独封装以处理大电流。这些晶体管可用于开关电源、大功率放大器，线圈驱动器和其他模拟或混合信号应用。大多数MOS晶体管用于低功耗、低电流数字电路。这些晶体管通常与其他部件一起包含在芯片中，而不是单独存在

发表于 2020-07-11 01:26
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分类：技术

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