什么是MOSFET晶体管(MOSFET Transistor)？
MOS FET晶体管是一种在电子器件中开关或放大信号的半导体器件。MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。这个名称可以用MOSFET、MOSFET或MOS-FET来表示；MOSFET晶体管这个术语尽管有冗余，但还是很常用。MOSFET的用...
MOS FET晶体管是一种在电子器件中开关或放大信号的半导体器件。MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。这个名称可以用MOSFET、MOSFET或MOS-FET来表示；MOSFET晶体管这个术语尽管有冗余，但还是很常用。MOSFET的用途晶体管通过使用少量的电来影响更大数量的电流，从而影响通过器件的电荷流。MOSFET是现代电子学中最常用的晶体管。
MOSFET晶体管有各种各样的形状、尺寸和排列方式。
MOSFET晶体管在现代生活中无处不在，因为它是集成电路中最常用的晶体管类型，几乎是所有现代计算机和电子设备的基础。MOSFET晶体管因其自身的特性而非常适合于这种作用低功耗、低损耗、低废热、低批量生产成本。现代集成电路可容纳数十亿个MOSFET。MOSFET晶体管存在于从手机、数字手表到大型超级计算机等各种设备中，用于气候等领域的复杂科学计算，天文学和粒子物理学。
MOSFET有四个半导体终端，称为源极、栅极、漏极和体极。源极和漏极位于晶体管体内，而栅极位于这三个终端之上，位于源极和漏极之间。栅极通过一层薄薄的绝缘层与其他终端分离。
MOSFET可以设计为使用带负电荷的电子或带正电荷的电子空穴作为电荷载体源极、栅极和漏极端子设计成有多余的电子或电子空穴，使每一个都具有正负极性。源极和漏极总是相同的极性，栅极总是源极和漏极的相反极性。
当体和栅极之间的电压增加，栅极接收到电荷时，相同电荷的电荷载流子被排斥在栅极的区域之外，形成所谓的耗尽区。如果这个区域足够大，它将在绝缘层和半导体层的界面上形成一个所谓的反转层，提供一个通道，使得栅极相反的电荷载流子可以很容易地流动。这使得大量的电能从源极流向漏极。就像所有的场效应晶体管一样，每个单独的MOSFET晶体管都只使用正电荷或负电荷载流子。
MOSFET晶体管主要由硅或硅锗合金制成。半导体端子的性能可以通过添加少量杂质如硼、磷或砷来改变，一种称为掺杂的工艺。栅极通常由多晶硅制成，尽管一些mosfet的栅极由多晶硅与钛、钨或镍等金属合金制成。极小型晶体管使用钨、钽或氮化钛等金属制成的栅极。绝缘层通常由硅制成二氧化物（SO2），尽管也使用其他氧化物化合物。
MOSFET晶体管有各种各样的形状、尺寸和排列方式。MOSFET晶体管在现代生活中无处不在，因为它是集成电路中最常用的晶体管类型，几乎是所有现代计算机和电子设备的基础。MOSFET晶体管因其自身的特性而非常适合于这种作用低功耗、低损耗、低废热、低批量生产成本。现代集成电路可容纳数十亿个MOSFET。MOSFET晶体管存在于从手机、数字手表到大型超级计算机等各种设备中，用于气候等领域的复杂科学计算，天文学和粒子物理学。
MOSFET有四个半导体终端，称为源极、栅极、漏极和体极。源极和漏极位于晶体管体内，而栅极位于这三个终端之上，位于源极和漏极之间。栅极通过一层薄薄的绝缘层与其他终端分离。
MOSFET可以设计为使用带负电荷的电子或带正电荷的电子空穴作为电荷载体源极、栅极和漏极端子设计成有多余的电子或电子空穴，使每一个都具有正负极性。源极和漏极总是相同的极性，栅极总是源极和漏极的相反极性。
当体和栅极之间的电压增加，栅极接收到电荷时，相同电荷的电荷载流子被排斥在栅极的区域之外，形成所谓的耗尽区。如果这个区域足够大，它将在绝缘层和半导体层的界面上形成一个所谓的反转层，提供一个通道，使得栅极相反的电荷载流子可以很容易地流动。这使得大量的电能从源极流向漏极。就像所有的场效应晶体管一样，每个单独的MOSFET晶体管都只使用正电荷或负电荷载流子。
MOSFET晶体管主要由硅或硅锗合金制成。半导体端子的性能可以通过添加少量杂质如硼、磷或砷来改变，一种称为掺杂的工艺。栅极通常由多晶硅制成，尽管一些mosfet的栅极由多晶硅与钛、钨或镍等金属合金制成。极小型晶体管使用钨、钽或氮化钛等金属制成的栅极。绝缘层通常由硅制成二氧化物（SO2），尽管也使用其他氧化物化合物。
- 发表于 2020-07-10 12:30
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