薄膜硅有哪些不同的应用(Different Applications of Thin Film Silicon)？

薄膜硅的制备方法有几十种，但一般可分为三类：化学反应沉积法，如化学气相沉积法，分子束外延法，物理气相沉积是一种单独发生物理反应的沉积过程，也有使用物理和化学方法的混合过程，薄膜器件技术广泛应用于光学器件和半导体中，物...

薄膜硅的制备方法有几十种，但一般可分为三类：化学反应沉积法，如化学气相沉积法，分子束外延法，物理气相沉积是一种单独发生物理反应的沉积过程，也有使用物理和化学方法的混合过程，薄膜器件技术广泛应用于光学器件和半导体中，物理气相沉积与各种溅射技术有关，它包括从源中蒸发材料并将其转移到目标衬底上。源材料在真空室中蒸发，使粒子均匀分散并覆盖在真空室中的所有表面。物理气相沉积用于此的两种方法是电子束或电子束加热溅射沉积采用局部真空，外加惰性的电离气体，如氩，带电离子被吸引到所用的靶材料上，原子被分解，然后作为薄膜硅沉积在衬底上不同类型的溅射，包括反应离子、磁控管和簇束溅射，它们都是对源材料进行离子轰击的方式的不同。化学气相沉积是生产薄膜硅的最常用工艺之一，它比物理方法更精确，一个反应器充满各种各样的气体，它们相互作用产生固体副产品，在反应器的所有表面凝结以这种方式生产的薄膜硅具有非常均匀的特性和非常高的纯度，这使得这种方法对于半导体工业以及光学涂层的生产非常有用。缺点是这些类型的沉积方法相对较慢，通常需要在温度下运行的反应器室高达2012华氏度（1100摄氏度），并使用剧毒气体，如硅烷。在制造薄膜硅时，必须考虑几十种不同的沉积工艺中的每一种，因为每种工艺都有其独特的优势、成本和风险。早期的反应离子室被悬挂在实验室地板上进行隔离，因为它们必须充电到5万伏特，即使它们只是坐在附近的混凝土上，也会使计算机设备短路。从这些反应堆延伸到制造车间下面的基岩的直径为12英寸的铜管，被实验室工作人员通俗地称为“耶稣棒”，这是指触碰它就等于在跟耶稣说话，因为它会杀死耶稣。像染料敏化太阳能电池这样的产品为薄膜制造提供了一种新的、不那么危险、更便宜的方法，因为它们不需要精确的硅半导体基片，它可以在248华氏度（120摄氏度）的较低温度下生产