什么是完全缓冲的DIMM(Fully Buffered DIMM)？

全缓冲DIMM（双列直插式内存模块）是一种随机存取内存（RAM）芯片，它在芯片组上包含高级内存缓冲区。高级内存缓冲区充当实际内存模块和内存控制器之间的中间人。这使得芯片上的可用内存在不增加数量的情况下得以增加DIMM的缺...

全缓冲DIMM（双列直插式内存模块）是一种随机存取内存（RAM）芯片，它在芯片组上包含高级内存缓冲区。高级内存缓冲区充当实际内存模块和内存控制器之间的中间人。这使得芯片上的可用内存在不增加数量的情况下得以增加DIMM的缺点包括延迟的引入和芯片组功耗的增加在完全缓冲的DIMM上，高级内存缓冲区位于内存模块和内存控制器之间。所有进出内存模块的数据必须首先通过高级内存缓冲单元。与无缓冲DIMM不同，当内存控制器直接与内存模块接口时，高级内存缓冲区必须“解释”完全缓冲的DIMM上的信息两个主要的优点。第一个是信号可以由内存缓冲单元恢复，补偿它在计算机总线结构中传输时的恶化；第二个是高级内存缓冲区可以对流入和流出RAM芯片的数据执行抢占式错误检查。它的作用类似于微型计算机一种大脑，它可以判断通过的数据是否在处理过程中的任何时候被破坏不过，使用完全缓冲的DIMM也有缺点。首先，高级内存缓冲区需要RAM芯片额外的功耗。这意味着RAM插槽必须设置在更高的电压水平上。功率增加会产生额外的热量，在通风不良的情况下，这可能会缩短RAM芯片和系统内其他组件的寿命。为了将此风险降至最低，应使用额外的冷却；这可以包括外壳的额外排气风扇或其他类型的冷却解决方案，以改善RAM芯片的气流DIMM的最后一个缺点是，依赖高级内存缓冲区，给RAM操作引入了延迟的概念。没有缓冲区，RAM操作基本上是实时进行的，仅受处理器速度的限制，处理器之间的前端总线然而，一旦数据通过高级内存缓冲区，在接收和处理信息之间会出现延迟。唯一可能的补偿是使用更快的内存模块，以克服固有的延迟延迟

发表于 2020-07-30 17:08
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分类：电脑网络

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