什么是大信号模型(Large-Signal Model)？

大信号模型是在分析电路时使用的一种表示法，它使用的电压和电流被认为高于低信号类别。产生低信号和大信号模型的主要原因是行为电路，特别是半导体，依赖于所涉及信号的相对振幅大信号模型还揭示了当信号电平接近器件的最...

大信号模型是在分析电路时使用的一种表示法，它使用的电压和电流被认为高于低信号类别。产生低信号和大信号模型的主要原因是行为电路，特别是半导体，依赖于所涉及信号的相对振幅大信号模型还揭示了当信号电平接近器件的最大允许电平时电路的特性。晶体管模型利用大信号模型来预测在最大信号电平被馈入和最大输出被绘制时的性能和特性基于大信号非线性模型设计了最高信号电平下的失真和噪声输出。

二极管中的正向电压降是阴极通过二极管时的电压在二极管建模中，小信号模型考虑了硅二极管上0.7伏正向压降和锗二极管0.3伏正向压降，在大信号模型中，接近典型二极管的最大允许正向电流将增大实际正向电压下降很大。
在反向偏压下，二极管有一个正阴极和一个负阳极。反向偏压二极管的小信号和大信号模型中几乎没有传导。在反向偏压模式下，无论是在小信号模型还是大信号模型中，二极管的处理方式几乎相同反向偏置二极管的大信号模型不同之处在于反向击穿电压，如果允许二极管吸收功率，二极管将永久性失效，从而对二极管的正负（P-N）结造成不可逆损坏，正（P）型半导体和负（N）型半导体之间的一种结。对于大信号建模，有源器件的几乎所有特性都会改变。当耗散更多功率时，温度升高通常会导致大多数晶体管的增益和漏电流增加。如果设计得当，有源器件能够自动控制任何一种叫做失控的状态。例如，在热失控中，维持有源器件静态工作特性的偏置电流可能会发展到有源器件吸收越来越多功率的极端情况。有源器件端子中适当的附加电阻（补偿变化）可以避免这种情况，很像一个负反馈机制。

发表于 2020-07-10 13:39
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分类：技术

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