什么是晶体管漏极(Transistor Drain)？
晶体管漏极是场效应晶体管的一部分，通常称为场效应晶体管，相当于标准半导体晶体管上的发射极。场效应晶体管有四个基本元件和相应的端子，称为栅极、源极、体极和漏极。当场效应晶体管的栅极和体极上存在控制电压时，在源极...
晶体管漏极是场效应晶体管的一部分，通常称为场效应晶体管，相当于标准半导体晶体管上的发射极。场效应晶体管有四个基本元件和相应的端子，称为栅极、源极、体极和漏极。当场效应晶体管的栅极和体极上存在控制电压时，在源极处等待的任何电信号都将从源极传输到晶体管漏极，并从漏极的端子输出，晶体管漏极可指场效应晶体管的输出部件或将该部件连接到其他电路的端子。
当场效应晶体管执行类似功能时对于标准的结型晶体管来说，它们执行这些功能的方式是完全不同的。一个普通的晶体管是由三块带交变静电荷的材料组成的，它们要么是正负正电荷，称为PNP，要么是负正负电荷，称为NPN。这些材料称为集电极、发射极和基极，它们熔合在一起，基本上形成一个二极管，有两个阳极或两个阴极。
如果电信号在晶体管的集电极处等待，而基极处没有电压，晶体管被认为是关闭的，不传导电信号。如果电压进入晶体管的基极，它就会改变基极的电荷。这种电荷的变化将晶体管打开，集电极信号通过晶体管从发射极传导出去，供其他电子电路使用。
场效应晶体管的工作原理完全不同。场效应晶体管由四块材料组成，每一块材料都有一个终端，称为源、栅、漏和体在这四个器件中，只有源极、漏极和体极带静电。要么源极和漏极带负电荷，称为n沟道场效应管，要么源极和漏极带正电荷，称为p沟道场效应管。在这两种情况下，场效应管体极带电荷，与源极和漏极相反。
然后将这四个器件组装在一起一种与标准晶体管不同的顺序。源极和漏极将熔合在晶体管的两端。然后栅极熔合在源极和漏极上，桥接它们，但不与晶体管的主体直接接触。相反，栅极被设置为与主体平行并与主体保持一定距离。
如果场效应晶体管是一个n通道类型的器件，则源极和漏极之间没有电压或负电压连接将场效应晶体管切换到关断状态，并且不会在源极和漏极之间传导信号。当场效应晶体管主体充电时，在场效应晶体管的栅极上施加一个正电压将把它切换到导通状态。栅极的电荷将开始从场效应晶体管的主体中拉出电子，基本上形成一个称为导电沟道的场。
如果栅极上的电压足够强，则一个点称为其阈值电压，导电沟道可以完全形成。一旦导电沟道完全形成，场效应晶体管源极处的电压将能够通过导电沟道将其信号传导到晶体管漏极，并从晶体管漏极流出。如果栅极处的电压随后降低到其阈值以下，穿过栅极和场效应晶体管体的场将立即形成崩塌，将导电沟道与之一起，并将场效应晶体管返回到关闭状态。
场效应晶体管对其栅极阈值电压非常敏感。使用仅略高于要求的栅极电压，然后稍微降低它，将非常快地打开和关闭场效应晶体管因此，在非常高的频率下只稍微改变栅极电压，就可以比标准晶体管更快的速度和更小的电压关闭和打开场效应晶体管。场效应晶体管的开关速度使其成为高速数字电路的理想晶体管。它们在诸如数字集成电路和微处理器，它们是现代计算机CPU的首选晶体管。
当场效应晶体管执行类似功能时对于标准的结型晶体管来说，它们执行这些功能的方式是完全不同的。一个普通的晶体管是由三块带交变静电荷的材料组成的，它们要么是正负正电荷，称为PNP，要么是负正负电荷，称为NPN。这些材料称为集电极、发射极和基极，它们熔合在一起，基本上形成一个二极管，有两个阳极或两个阴极。如果电信号在晶体管的集电极处等待，而基极处没有电压，晶体管被认为是关闭的，不传导电信号。如果电压进入晶体管的基极，它就会改变基极的电荷。这种电荷的变化将晶体管打开，集电极信号通过晶体管从发射极传导出去，供其他电子电路使用。
场效应晶体管的工作原理完全不同。场效应晶体管由四块材料组成，每一块材料都有一个终端，称为源、栅、漏和体在这四个器件中，只有源极、漏极和体极带静电。要么源极和漏极带负电荷，称为n沟道场效应管，要么源极和漏极带正电荷，称为p沟道场效应管。在这两种情况下，场效应管体极带电荷，与源极和漏极相反。
然后将这四个器件组装在一起一种与标准晶体管不同的顺序。源极和漏极将熔合在晶体管的两端。然后栅极熔合在源极和漏极上，桥接它们，但不与晶体管的主体直接接触。相反，栅极被设置为与主体平行并与主体保持一定距离。
如果场效应晶体管是一个n通道类型的器件，则源极和漏极之间没有电压或负电压连接将场效应晶体管切换到关断状态，并且不会在源极和漏极之间传导信号。当场效应晶体管主体充电时，在场效应晶体管的栅极上施加一个正电压将把它切换到导通状态。栅极的电荷将开始从场效应晶体管的主体中拉出电子，基本上形成一个称为导电沟道的场。
如果栅极上的电压足够强，则一个点称为其阈值电压，导电沟道可以完全形成。一旦导电沟道完全形成，场效应晶体管源极处的电压将能够通过导电沟道将其信号传导到晶体管漏极，并从晶体管漏极流出。如果栅极处的电压随后降低到其阈值以下，穿过栅极和场效应晶体管体的场将立即形成崩塌，将导电沟道与之一起，并将场效应晶体管返回到关闭状态。
场效应晶体管对其栅极阈值电压非常敏感。使用仅略高于要求的栅极电压，然后稍微降低它，将非常快地打开和关闭场效应晶体管因此，在非常高的频率下只稍微改变栅极电压，就可以比标准晶体管更快的速度和更小的电压关闭和打开场效应晶体管。场效应晶体管的开关速度使其成为高速数字电路的理想晶体管。它们在诸如数字集成电路和微处理器，它们是现代计算机CPU的首选晶体管。
- 发表于 2020-07-10 10:40
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