什么是互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor)？

互补金属氧化物半导体（CMOS）是集成电路中使用的基本逻辑控制器。互补金属氧化物半导体设计技术传统上存在于计算机、计算机存储器和移动印刷电路板技术中的微处理器中，例如移动电话和手持计算设备。CMOS设备的关键卖点是...

互补金属氧化物半导体（CMOS）是集成电路中使用的基本逻辑控制器。互补金属氧化物半导体设计技术传统上存在于计算机、计算机存储器和移动印刷电路板技术中的微处理器中，例如移动电话和手持计算设备。CMOS设备的关键卖点是它的功耗率非常低，与其他可用的逻辑技术（晶体管-晶体管逻辑（TTL）相比。

芯片。
CMOS利用两种不同的金属组合来建立进入互补金属氧化物半导体的逻辑网关，因此，这两种金属之间的电阻非常高，因此，通过遵循电压等于电流乘以电阻的欧姆s定律，电阻越高，维持给定电压所需的电流越小。
CMOS的另一个重要设计特点是它的和/或逻辑控制器。这个控制器所允许的是，该单元只在动态阶段运行。在现实世界中，这意味着，逻辑控制器类似于一个水龙头，只有在用户需要时才允许水流动，而不一定非得让水流动才能工作。
CMOS控制器将消耗逻辑控制器一半的功率，而逻辑控制器需要在动态和静态位置都能工作的功率有效地利用电源来执行各种逻辑功能，使得这种逻辑控制器非常适合电源非常有限的应用。例如，一部手机需要一次运行几个小时甚至几天，而不需要重新插上电源来给电池充电
Fairchild semiconductor的工程师Frank Wanless于1967年获得了第一个互补金属氧化物半导体的专利。RCA公司于1968年首次成功地将CMOS商业化使用。最初，使用CMOS逻辑单元的最大缺点是逻辑功能的执行速度。TTL控制器虽然相似，但能够以更快的速度执行功能，即使消耗更多的功率。其固有的低功耗设计特点，工程师们很快就能将CMOS的性能提高到比传统TTL控制器快得多的水平。
互补金属氧化物半导体最初是由铝构成的。半导体工业的改进引入了新的金属，如钽和多晶硅，然而，这些金属和其他化合物产生的热量比传统的铝部件要少得多，也不容易发生故障。一种元素产生的热量越少，它就越能有效地利用各种功能所需的能量，使用的电池电量也就越少。