什么是铁电存储器(Ferroelectric Memory)？
铁电随机存取存储器（FRAM）使用一种特殊的"铁电薄膜"来存储计算机数据，这种薄膜具有快速改变极性的能力，即使在不通电的情况下也能保留数据，因此它被归类为非易失性存储器。铁电存储器在没有电池的情况下工作，当信息被写入或...
铁电随机存取存储器（FRAM）使用一种特殊的"铁电薄膜"来存储计算机数据，这种薄膜具有快速改变极性的能力，即使在不通电的情况下也能保留数据，因此它被归类为非易失性存储器。铁电存储器在没有电池的情况下工作，当信息被写入或重写到芯片上时消耗很少的能量。随机存取存储器的性能与铁电存储器中的只读存储器的能力相结合。它用于智能卡和移动设备，如作为手机，因为使用的功率很小，而且存储芯片很难被人篡改。
手持光盘的女性
铁电存储芯片通过使用锆酸铅钛酸盐薄膜来改变周围的电场。薄膜中的原子将极性改变为正或负，反之亦然。这使得薄膜像开关一样工作，与二进制代码兼容，并能有效地存储数据。断电时，薄膜的极性保持不变，保持信息的完整性允许芯片在没有太多能量的情况下工作。铁电存储器芯片甚至可以在断电时保持数据。
与动态随机存取存储器（DRAM）和电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）相比，铁电存储器的功耗是原来的3000倍，而且由于信息可以多次写入、擦除和重写，它的寿命估计也会延长10000倍，但是，铁电层被用来代替它用于FRAM，不同存储芯片的结构在其他方面非常相似。
也称为FeRAM，铁电存储器可以比其他存储器写得快得多据估计，这种写入速度比EEPROM器件快近500倍。科学家们用电子显微镜在存储芯片表面拍摄电场图像。利用这项技术，他们可以测量使偏振度在原子尺度上得到控制的材料，从而制造出存储芯片铁电存储器比其他类型的计算机存储器更节能。使用和存储数据也更安全，因为重要信息不会轻易丢失。它适用于手机和射频识别（RFID）系统。存储芯片还可以重写许多数据更多的时间，所以记忆不会磨损，需要在短时间内更换。
手持光盘的女性铁电存储芯片通过使用锆酸铅钛酸盐薄膜来改变周围的电场。薄膜中的原子将极性改变为正或负，反之亦然。这使得薄膜像开关一样工作，与二进制代码兼容，并能有效地存储数据。断电时，薄膜的极性保持不变，保持信息的完整性允许芯片在没有太多能量的情况下工作。铁电存储器芯片甚至可以在断电时保持数据。
与动态随机存取存储器（DRAM）和电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）相比，铁电存储器的功耗是原来的3000倍，而且由于信息可以多次写入、擦除和重写，它的寿命估计也会延长10000倍，但是，铁电层被用来代替它用于FRAM，不同存储芯片的结构在其他方面非常相似。
也称为FeRAM，铁电存储器可以比其他存储器写得快得多据估计，这种写入速度比EEPROM器件快近500倍。科学家们用电子显微镜在存储芯片表面拍摄电场图像。利用这项技术，他们可以测量使偏振度在原子尺度上得到控制的材料，从而制造出存储芯片铁电存储器比其他类型的计算机存储器更节能。使用和存储数据也更安全，因为重要信息不会轻易丢失。它适用于手机和射频识别（RFID）系统。存储芯片还可以重写许多数据更多的时间，所以记忆不会磨损，需要在短时间内更换。
- 发表于 2020-07-10 12:34
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