晶体管的特性是什么(Transistor Characteristics)？
晶体管是电子器件中控制和放大器件内电流的元件，被认为是现代电子技术发展中最重要的发明之一。影响晶体管工作的重要晶体管特性包括晶体管的增益、结构和极性，以及结构材料。晶体管的特性可以根据晶体管的用途而有很大...
晶体管是电子器件中控制和放大器件内电流的元件，被认为是现代电子技术发展中最重要的发明之一。影响晶体管工作的重要晶体管特性包括晶体管的增益、结构和极性，以及结构材料。晶体管的特性可以根据晶体管的用途而有很大的不同。
晶体管放大电流。
晶体管很有用，因为它们可以像一种控制更大流量的信号。晶体管的这种能力称为晶体管增益，它是以晶体管产生的输出与产生输出所需的输入之比来测量的。相对于输入，输出越高，增益越高。这个比率可以用电功率，电压，或电流。增益随着工作频率的升高而减小。
晶体管中的每个半导体端子都可以具有正负极性，这取决于晶体管的物质'；主要的半导体材料已经掺杂了。
晶体管的特性随晶体管的组成而变化。常见的材料包括半导体硅、锗，砷化镓（GaAs）：砷化镓通常用于高频晶体管，因为它的电子迁移率（电子通过半导体材料的速度）更高。它也可以在硅或锗晶体管中的更高温度下安全工作与其他晶体管材料相比，硅的电子迁移率较低，但通常使用硅是因为硅的价格低廉，并且可以在比锗更高的温度下工作。
晶体管最重要的特性之一是晶体管的设计。双极结晶体管（BJT）有三个端子，称为基极，集电极和发射极，基极位于集电极和发射极之间。少量的电流从基极移动到发射极，电压的微小变化导致发射极和收集层之间的电流变化更大。BJT之所以被称为双极晶体管，是因为它们同时使用带负电荷的电子在场效应晶体管（FET）中，只使用一种类型的电荷载流子，每个FET有三层半导体层，称为栅、漏和源，它们类似于BJTs基、集电极和发射极，大多数场效应晶体管也有第四个终端，称为体、体、基或基片。场效应晶体管是否利用电子或电子空穴来携带电荷取决于不同半导体层的组成。
晶体管中的每个半导体终端都有正负极性，根据晶体管的主要半导体材料被掺杂了什么物质，在N型掺杂中，会加入少量的砷或磷杂质，掺杂剂的每个原子在其外壳中有五个电子，每个硅原子的外壳只有四个电子，因此，每个砷或磷原子都提供了一个多余的电子，这个电子可以穿过半导体，给它一个负电荷，而在P型掺杂中，镓或硼的外壳都有三个电子这使得硅原子外壳中的第四个电子没有任何可结合的东西，产生了相应的正电荷载流子，称为电子可以移动的电子空穴。
晶体管也根据其组件的极性进行分类。在NPN晶体管中，中端是BJTs中的基部，场效应晶体管中的栅极是正极性的，而栅极两侧的两层都是负极性的。在PNP晶体管中，情况正好相反。
晶体管放大电流。晶体管很有用，因为它们可以像一种控制更大流量的信号。晶体管的这种能力称为晶体管增益，它是以晶体管产生的输出与产生输出所需的输入之比来测量的。相对于输入，输出越高，增益越高。这个比率可以用电功率，电压，或电流。增益随着工作频率的升高而减小。
晶体管中的每个半导体端子都可以具有正负极性，这取决于晶体管的物质'；主要的半导体材料已经掺杂了。晶体管的特性随晶体管的组成而变化。常见的材料包括半导体硅、锗，砷化镓（GaAs）：砷化镓通常用于高频晶体管，因为它的电子迁移率（电子通过半导体材料的速度）更高。它也可以在硅或锗晶体管中的更高温度下安全工作与其他晶体管材料相比，硅的电子迁移率较低，但通常使用硅是因为硅的价格低廉，并且可以在比锗更高的温度下工作。
晶体管最重要的特性之一是晶体管的设计。双极结晶体管（BJT）有三个端子，称为基极，集电极和发射极，基极位于集电极和发射极之间。少量的电流从基极移动到发射极，电压的微小变化导致发射极和收集层之间的电流变化更大。BJT之所以被称为双极晶体管，是因为它们同时使用带负电荷的电子在场效应晶体管（FET）中，只使用一种类型的电荷载流子，每个FET有三层半导体层，称为栅、漏和源，它们类似于BJTs基、集电极和发射极，大多数场效应晶体管也有第四个终端，称为体、体、基或基片。场效应晶体管是否利用电子或电子空穴来携带电荷取决于不同半导体层的组成。
晶体管中的每个半导体终端都有正负极性，根据晶体管的主要半导体材料被掺杂了什么物质，在N型掺杂中，会加入少量的砷或磷杂质，掺杂剂的每个原子在其外壳中有五个电子，每个硅原子的外壳只有四个电子，因此，每个砷或磷原子都提供了一个多余的电子，这个电子可以穿过半导体，给它一个负电荷，而在P型掺杂中，镓或硼的外壳都有三个电子这使得硅原子外壳中的第四个电子没有任何可结合的东西，产生了相应的正电荷载流子，称为电子可以移动的电子空穴。
晶体管也根据其组件的极性进行分类。在NPN晶体管中，中端是BJTs中的基部，场效应晶体管中的栅极是正极性的，而栅极两侧的两层都是负极性的。在PNP晶体管中，情况正好相反。
- 发表于 2020-07-10 09:44
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