专利申请方式及流程台湾专利查询要怎么办

申请专利的流程总共两种方式：第一种：自行办理专利申请事宜，主要过程如下： 1、打开电子申请网（cponline.sipo.gov.cn），点击“注册”注册电子申请用户，然后点击“工具下载”，在跳...

专利申请方式及流程
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申请专利的流程总共两种方式：

第一种：自行办理专利申请事宜，主要过程如下：

1、打开电子申请网（cponline.sipo.gov.cn），点击“注册”注册电子申请用户，然后点击“工具下载”，在跳转的界面找到“CPC安装程序”“CPC客户端离线升级包”并下载电子申请客户端（下称CPC）和离线升级包，下载结束后先安装CPC，后升级CPC到最新版本。

2、利用电子申请网的账户信息登录该网站，点击“其他”找到“证书管理”，选中证书后点击“下载证书”获得电子证书，将电子证书保存到电脑。

3、登录专利事务服务系统（cpservice.sipo.gov.cn），在“业务办理”中找到“费减备案请求”，然后点击“在线办理”，在弹出的窗口中填写相关信息并按照提示完成办理。

4、打开CPC，点击“申请专利”，选择类型，在草稿箱的新申请中选中新建的模板，然后双击进入编辑截面，依次将“请求书”“权利要求书”“说明书”“说明书附图”“摘要”“摘要附图”填写好并保存。其它无关文件一律删除。然后退出编辑截面，并选中已编辑好的申请文件，点击“签名”，签名成功后在左侧“发件箱”中选中已签名的申请文件，然后点击“发送”。

5、次日再次打开CPC，点击“接收”，选择证书，然后点击“获取列表”，然后选中出现的受理通知书，点击“开始下载”，最后在左侧“收集箱”中找到下载的受理通知书，双击点开记录申请号及缴费信息。

6、登录电子申请网（cponline.sipo.gov.cn），在“费用办理”中找到“在线支付”，点击后弹出新窗口，然后点击“以国家申请号缴费”，在弹出的缴费截面填写缴费信息，然后提交至缴费界面完成缴费。

注意事项：

①步骤3中的专利事务服务系统的登录账号与电子申请网的账户相同。

②如果不知道步骤2中电子证书保存到哪里，可在电子申请网首页点击 “使用指导”，然后按要求操作。

③CPC安装时要求运行系统为XP及win7专业版，word为03或07版本，此外任何版本均可能造成CPC无法正常使用。

④步骤3中办理费减备案的条件为：请求人为个人时，月收入不超过5000；请求人为企业时，上一年全年的企业所得税应纳税所得额不超过100万。不满足以上条件将无法办理费减备案。

⑤专利申请文件的撰写是一件相当专业的事情，一般人很难写好申请文件，如果技术本身具有较好的应用价值并希望通过专利予以保护，则建议采取委托代理机构的方式完成。

第二种：委托代理机构代为办理专利申请，具体过程参照代理机构的内部流程。

综上所述，第一种方法费用低但费时费力，鉴于CPC的不稳定性可能导致申请人无法提交专利申请。第二种方法费用高但省时省力，申请人仅需提供相关材料并支付相关费用即可，无需投入太多时间。申请人可根据自身情况选择合适的申请方式。

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台湾专利查询要怎么办
我们精选了一下网友答案：

专利具有地域性。所以不管是哪的专利想要在国内使用就必须要再国内进行申请。因此想要查询这个专利，只要直接到国家知识产权局官网上输入专利相关的信息就可以进行查询。

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申请专利的最佳步骤：申请专利是一种法律程序，申请专利的发明人要想快而稳妥地获得专利权，取得法律上的保护，可委托专利事务所的专利代理人为你提供法律和技术上的帮助，发明人一旦与专利代理人建立委找代理关系，专利代理人则是你的技术顾问和专利律师。发明人与专利代理人建立代理委托关系后，应按照代理人的要求提供撰写专利文件所必须的详细技术资料；详细技术资料包括发明创造的目的、新旧技术对比、主要技术特征及实施发明创造目的的具体方案，以及能说明发明创造目的的图纸等。如发明人不会制图或不能提供必须的详细技术资料，可直接向专利代理人口述，专利代理人可根据发明人的发明意图为你完成专利申请的全过程，直到获得专利权。委托专利代理机构申请专利的程序委托专利代理机构申请专利一般要经过以下几个步骤一、咨询： 1、确定发明创造的内容是否属于可以申请专利的内容； 2、确定发明创造的内容可以申请哪一种专利类型（发明、实用新型、外观设计）二、签定代理委托协议此时签定代理协议的目的是为了明确申请人和专利代理机构之间的权利和义务，主要是约束专利代理人对申请人的发明创造内容负有保密的义务。三、技术交底 1、申请人向专利代理人提供有关发明创造的背景资料或委托检索有关内容； 2、申请人详细介绍发明创造的内容，帮助专利代理人充分理解发明创造的内容。四、确定申请方案代理人在对发明创造的理解基础上，会对专利申请的前景做出初步的判断，对专利授权可能性很小的申请将建议申请人撤回，此时代理机构将会收取少量咨询费，大部分申请代理费用将返还申请人。若专利授权前景较大，专利代理人将提出明确的申请方案、保护的范围和内容，在征得申请人同意的条件下开始准备正式的申请工作。五、准备申请文件（中国专利展示网有下载 www.zlshow.com） 1、撰写专利申请文件； 2、制作申请书文件； 3、提交专利申请并获取专利申请号。六、审查中国专利局会对专利申请文件进行审查，在审查过程中专利代理人会进行专利补正、意见陈述、答辩、变更等工作。如有需要，申请人应该配合专利代理人完成以上工作

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可以到欧洲专利资料库中查询，只要在公开号的地方前加入TW就可以查到。这个资料库也可以查日本、美国、中国、台湾等一百多国专利。只要在公开号前加入该国的简码，例如:中国CN 台湾TW 美国US 日本JP 欧洲专利资料库也可以到这里找到官方连结

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【解密】英飞凌积极布局SiC市场；华为申请一项防尘防水新专利:性能或高于IP68；索尼专利暗示PS5或将具有语音AI助手功能
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1.【专利解密】英飞凌积极布局SiC市场；

2.华为申请一项防尘防水新专利：性能或高于IP68；

3.索尼专利暗示PS5或将具有语音AI助手功能；

1.【专利解密】英飞凌积极布局SiC市场；

【嘉德点评】英飞凌的此项专利可以有效的改善碳化硅器件的短路耐用性，碳化硅(SiC)器件的稳定性和可靠性都被市场一一验证，所以在对可靠性要求更高的领域，SiC产品可以有较快的增长。

集微网消息，近年来碳化硅（SiC）市场的竞争已经如火如荼，而且业内对第三代半导体的投资可谓是热度高涨。作为全球领先的半导体企业，英飞凌也在不断地加大对SiC领域的投资。

碳化硅（SiC）的宽带隙以及低本征载流子浓度和高临界电场适用于制造具有大阻断电压和小导通电阻的功率半导体器件。

功率半导体器件通常被用于控制从输入级到输出级的电能转移，例如在DC/AC转换器、AC/AC转换器或AC/DC转换器中。在典型的转换器拓扑结构中，负载侧的短路条件在功率半导体器件的短路条件下变换。短路检测电路可以检测短路状况，并且可以关断功率半导体器件和/或可以激活断路器。对于在短路状态的开始与结束之间的时间段，高的短路电流就会流过功率半导体器件，这样就需要改善碳化硅器件的短路耐用性。

为此，英飞凌申请了一项名为“碳化硅半导体器件”的发明专利（申请号：201910541533 .3），申请人为英飞凌科技股份有限公司。

图1 SiC器件的电路图

上图1是该专利提出的一种SiC器件的电路图，源极端子S、漏极端子D和栅极端子G共同构成了三端子SiC器件500，同时SiC器件500还包括该SiC器件包括串联地电连接的JFET 810和IGFET 820。

图2 SiC器件垂直横截面图

图2示出了SiC器件的垂直横截面示意图，由图可知，SiC器件500包括第一负载电极310和碳化硅本体100，其中栅极结构150从碳化硅本体100的第一表面101延伸到碳化硅本体100中。然后形成在碳化硅本体100中的半导体区120、160、170电连接到第一负载电极310，而且半导体区120、160、170和源极区110可以直接形成相应的pn结。

另外，第一负载电极310可以形成源极端子S，或者直接电连接到源极端子S。同样，第二负载电极320也可以形成漏极端子D或者电连接到漏极端子D。而层间电介质210的出现，能够使第一负载电极310和栅电极155彼此分离。

源极区110主要包括与第一负载电极310直接接触的重掺杂接触部分111以及沟道部分112，其中沟道部分112中的最大掺杂剂浓度为接触部分111中的最大掺杂剂浓度的10％左右，并且沟道部分112的第一端可以利用接触部分111形成单极结。另外，沟道部分112的第二端还可以与栅极结构150接触。

辅助结构200主要是指与源极区110形成辅助pn结pnx的辅助区170。辅助区170是可以浮动的，并且它可以通过离子注入形成。从上图可知，辅助区170直接电连接到第一负载电极310，使得耗尽区域119从相对侧蔓延到源极区110中。

通过在相对侧上提供耗尽区域119，可以增加控制比，该控制比描述了源极区电阻的变化与负载电流变化之间的比率，可以增加沟道部分112中的掺杂剂浓度，进而得以降低SOA内的负载条件的源极区110的电阻。另外，沟道部分112、主体区120和辅助区170还可以在晶体管单元TC的源极区110内形成横向JFET。

英飞凌的此项专利可以有效的改善碳化硅器件的短路耐用性，碳化硅(SiC)器件的稳定性和可靠性都被市场一一验证，所以在对可靠性要求更高的领域，SiC产品可以有较快的增长。

SiC是英飞凌规划领域中的核心产品之一，英飞凌也不断地在SiC技术领域中扩充自己的团队，希望英飞凌可以生产出高质量的SiC产品，并继续为业内提供高质量的产品与服务！

2.华为申请一项防尘防水新专利：性能或高于IP68；

近日，华为在终端设备的防尘、防水和透气等性能上有了进一步突破。一项申请日期为5月1号，公开号为CN111092973A，主要用于终端设备上的防尘防水透气专利被媒体曝光。该专利完整介绍如下：

本申请涉及电子产品技术领域，尤其涉及一种移动终端，该移动终端包括壳体，壳体形成有第一开孔，壳体内与第一开孔对应设置有防水透气膜组件，防水透气膜组件朝向壳体一侧设置有防尘网，和用于将防尘网与壳体粘接的第一层胶层。

第一胶层与第一开孔对应的位置处形成有第二开孔，以使壳体的内部依次通过防水透气膜组件、防尘网、第二开孔和第一开孔与外界连通。

本申请提供的移动终端中，通过设置防尘网，当外界的空气进入移动终端内时，外界的灰尘颗粒等脏物本防尘网隔离，有效防止脏物附着在防水透气膜组件上，导致防水透气膜组件透气失效，保证了防水透气膜组件使用的稳定性，也保证了移动终端能够稳定地与外界气压保持连通。

目前，华为已经拥有了世界最高防水级别IP68，此次申请的这项新专利将有可能让华为的终端设备的防水防尘功能更强大、更加多样化。快科技

3.索尼专利暗示PS5或将具有语音AI助手功能；

索尼预计今年圣诞节档期发售次世代主机PS5，不过目前他们只公布了PS5的大概信息，许多关键细节都始终缺失。虽然索尼方面守口如瓶，但我们可以通过公开的专利内容猜测PS5有可能发展的方向。根据最新公开的专利文档，索尼似乎是开发了一个语音AI助手，功能上差不多可以类比苹果的Siri，微软的Cortana，或者亚马逊的Alexa。

专利对索尼的语音AI助手进行了最基本的功能描述：听取用户的询问，提供回应，要求更具体的询问等。这个AI助手可以根据特定日程安排和事件进行回应，也就是具有闹钟和提醒功能。另外专利也显示这个AI助手会连接到云端，获取更准确的回应。

比较特别的地方在于，索尼的这个AI助手是有虚拟形象的，还具备面部表情动画模组。专利文档的图片里画了两个小人，一个是用户，另一个就是虚拟形象，可能在用户呼叫AI助手的时候屏幕上会出现这个虚拟形象的脸，就像随叫随到的助手那样当面解决问题。

此前公布的专利中，PS5的手柄DualSense将搭载多个麦克风，反相波主动降噪功能，允许玩家在不戴耳机的情况下进行更好的语音聊天。现在看来，麦克风降噪搭配AI语音助手也非常合理。

另外还有一个专利叫“PlayStation Assistant”，基本功能虽然还是AI语音助手，但却是专门为游戏设计的，玩家可以向PlayStation Assistant提问游戏内的问题，程序会给出方向指引。这个专利应该是之前提到的AI助手的延伸。

需要指出的是，专利信息并不一定会反应到最终产品上，索尼方面还没有公布PS5的具体特色功能，我们还需要等待索尼方面的官方消息发布。cnBeta

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