什么是化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition)？
化学气相沉积（CVD）是一种利用反应气体室合成高纯度、高性能固体材料的化学过程，例如电子元件。集成电路的某些元件需要由多晶硅、二氧化硅和氮化硅材料制成的电子元件。例如气相沉积过程是由硅烷（SiH4）合成多晶硅，使用该反...
化学气相沉积（CVD）是一种利用反应气体室合成高纯度、高性能固体材料的化学过程，例如电子元件。集成电路的某些元件需要由多晶硅、二氧化硅和氮化硅材料制成的电子元件。例如气相沉积过程是由硅烷（SiH4）合成多晶硅，使用该反应：
集成电路的某些组件需要由多晶硅、二氧化硅和氮化硅材料制成的电子元件。SiH4->；Si2H2在硅烷反应中，介质可以是纯硅烷气体，也可以是含氮70-80%的硅烷。使用温度在600到650°C（1100-1200°F），压力在25到150 Pa之间（不到大气的千分之一），纯硅可以以每分钟10到20纳米的速度沉积，非常适合于许多电路板组件厚度以微米为单位测量。一般来说，化学气相温度沉积机内的温度很高，而压力很低。最低压力低于10−6帕斯卡，称为超高真空。这与其他领域中"超高真空"的使用不同，后者通常指压力化学气相沉积的一些产品包括硅、碳纤维、碳纳米纤维、长丝、碳纳米管、二氧化硅、硅锗、钨、碳化硅、氮化硅、氧化硅、氮化钛和金刚石。使用化学气相沉积的大量生产材料可以由于工艺的功率要求，成本非常昂贵，这部分是半导体工厂极高成本（数亿美元）的部分原因化学气相沉积反应通常会产生副产物，这些副产物必须通过连续的气流来除去。化学气相沉积过程有几种主要的分类方案，包括按压力分类（大气、低压或超高真空），气相特性（气溶胶或直接液体喷射），或等离子体处理型（微波等离子体辅助沉积、等离子体增强沉积、远程等离子体增强沉积）。
集成电路的某些组件需要由多晶硅、二氧化硅和氮化硅材料制成的电子元件。SiH4->；Si2H2在硅烷反应中，介质可以是纯硅烷气体，也可以是含氮70-80%的硅烷。使用温度在600到650°C（1100-1200°F），压力在25到150 Pa之间（不到大气的千分之一），纯硅可以以每分钟10到20纳米的速度沉积，非常适合于许多电路板组件厚度以微米为单位测量。一般来说，化学气相温度沉积机内的温度很高，而压力很低。最低压力低于10−6帕斯卡，称为超高真空。这与其他领域中"超高真空"的使用不同，后者通常指压力化学气相沉积的一些产品包括硅、碳纤维、碳纳米纤维、长丝、碳纳米管、二氧化硅、硅锗、钨、碳化硅、氮化硅、氧化硅、氮化钛和金刚石。使用化学气相沉积的大量生产材料可以由于工艺的功率要求，成本非常昂贵，这部分是半导体工厂极高成本（数亿美元）的部分原因化学气相沉积反应通常会产生副产物，这些副产物必须通过连续的气流来除去。化学气相沉积过程有几种主要的分类方案，包括按压力分类（大气、低压或超高真空），气相特性（气溶胶或直接液体喷射），或等离子体处理型（微波等离子体辅助沉积、等离子体增强沉积、远程等离子体增强沉积）。
- 发表于 2020-09-07 05:56
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- 分类：科学教育
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