什么是场效应晶体管(Field Effect Transistor)？

场效应晶体管（FET）是集成电路中常用的一种电子元件，它是一种独特的晶体管，它根据输入的内容提供可变的输出电压。这与双极结晶体管（BJT）不同，后者的设计是根据电流流来决定开关状态金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是目前...

场效应晶体管（FET）是集成电路中常用的一种电子元件，它是一种独特的晶体管，它根据输入的内容提供可变的输出电压。这与双极结晶体管（BJT）不同，后者的设计是根据电流流来决定开关状态金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是目前使用的最常见的场效应晶体管（FET），它比BJT具有更高的速度和更低的能耗，因此经常被纳入计算机内存设计中，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）经常被纳入计算机存储器设计中，与BJT相比，它具有更高的速度和更低的能耗。晶体管具有许多不同的特性和功能。有机场效应晶体管（OFET）构建在有机层衬底上，通常是聚合物的一种形式。这些晶体管具有柔性和可生物降解的特性，用于制造塑料视频显示器和太阳能电池板。另一种FET变体是结场效应晶体管（JFET），它在电路中起二极管的作用，碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）是一种实验性场效应晶体管，它建立在单个碳纳米管上，而不是典型的硅衬底上。这使得它们比可以制造的最小晶体管小20倍传统的薄膜技术。它们的前景是以更低的成本提供更快的计算机处理速度和更大的内存自1998年以来，它们已经被成功地证明了，但诸如纳米管在氧气存在下的降解以及在温度或电场应力下的长期可靠性等问题，使它们一直处于实验阶段，例如绝缘栅双极晶体管（IGBT），它可以处理高达3000伏的电压，并起到快速开关的作用。它们在许多现代电器、电动汽车和火车系统以及音频放大器中有着广泛的应用。耗尽模式场效应晶体管是场效应晶体管设计变化的另一个例子，并且经常被用作光子传感器和电路放大器。计算机和电子设备的许多复杂需求继续促使晶体管的功能设计和制造材料的多样化。场效应晶体管是几乎所有电路中的基本元件场效应晶体管的原理在1925年首次获得专利，然而如何利用这一理念的新概念正在不断地被创造出来

发表于 2020-09-07 01:20
阅读 ( 1162 )
分类：科学教育

什么是场效应晶体管(Field Effect Transistor)？

你可能感兴趣的文章

相关问题

0 条评论

作家榜 »

推荐文章