什么是铁电RAM(Ferroelectric RAM)？

铁电随机存取存储器（FRAM或FeRAM）是一种专门用于计算机应用的固态数据存储介质。它与大多数个人计算机中使用的普通RAM不同，它是非易失性的，即当设备断电时，它会保留存储在其中的数据，标准动态随机存取存储器（DRAM）并非如此。...

铁电随机存取存储器（FRAM或FeRAM）是一种专门用于计算机应用的固态数据存储介质。它与大多数个人计算机中使用的普通RAM不同，它是非易失性的，即当设备断电时，它会保留存储在其中的数据，标准动态随机存取存储器（DRAM）并非如此。制造FRAM的材料的独特特性使其具有自然的铁电状态，这意味着它有一个内置的极化，可以在不需要电力的情况下半永久地存储数据。这种自然极化意味着FRAM的功耗很低水平超过标准数据存储器。手持计算机的人在FRAM芯片上的数据也可以通过施加电场写入新的信息来改变，这使得它与许多类型的计算机化工业机器中的闪存和可编程存储器芯片有一些相似之处，即电可擦可编程只读存储器（EEPROM），其主要缺点是数据存储密度远低于其他类型的RAM，而且更难生产，因为铁电层在硅芯片制造过程中很容易退化。由于铁电RAM不能保存大量数据，而且对于需要大量内存的应用来说成本很高，因此它最常用于便携式计算机设备中，如连接到安全系统进入建筑物的智能卡和射频识别（RFID）标签，用于消费品上跟踪库存。截至2011年，制造铁电RAM最常用的材料是锆钛酸铅（PZT），不过，这项技术的历史可以追溯到1952年的概念和上世纪80年代末的首次生产FRAM芯片架构是建立在一个模型上，一个存储电容器和一个信号晶体管组成一个可编程金属化单元。铁电RAM中的PZT材料使其能够在不使用电源的情况下保留数据。而该架构基于与DRAM相同的模型，并且两者都存储数据是由1和0组成的二进制串，只有铁电RAM具有相变存储器，其中的数据被永久地嵌入，直到外加电场将其擦除或覆盖。从这个意义上讲，铁电RAM的功能与flash存储器或EEPROM芯片相同，只是读写速度快得多，并且可以重复由于铁电RAM的读写存取速率比标准的EEPROM芯片快3万倍，再加上它的续航时间要长10万倍，功耗只有EEPROM的1/200，所以它是赛道存储器。赛道存储器是美国正在设计的一种非易失性通用固态存储器，可能最终取代标准的计算机硬盘和便携式闪存设备。一旦商业化，铁轨的读写速度比标准的读写速度快100倍

发表于 2020-08-07 13:41
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分类：电脑网络

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