持有光盘的女性需要非常小的功率增量来存储RRAM上的数据金属氧化物层和封盖层,有不同的电阻存储器类型,它们集成了某些类型的材料。这种材料对信息的存取时间、数据的保存情况以及无故障记忆的持续时间都有影响。在操作过程中使用的电能也能达到多少受层材料类型的影响。一种RRAM使用氧化钛作为绝缘体,其一侧与氧气分子混合,氧气分子可在电压下向另一侧移动当记忆的开关状态被打开时,传导就可以开始了。当氧分子回到另一边时,记忆又回到了关闭状态开关周期只需几秒钟的时间,另一种类型的电阻存储器将氧化钛排列成导线之间的水平微观条带垂直排列。电阻可以控制在每个单独的金属条上,并且能够在不同程度上改变电阻的能力可以为存储系统创造一种类似学习的能力。电子公司继续致力于开发存储器如何工作的概念相变存储器是与RRAM一起发展起来的另一种存储器,也称为导电桥接随机存取存储器(CBRAM),它使用大量的热量来改变材料的特性以改变电阻状态,一些电子制造商正致力于将RRAM作为内存的一种可行的替代品,例如DRAM,它的体积要尽可能小,以有效地工作。
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